Danni da asfissia radicale in vivaio e floricoltura

L'asfissia radicale può essee provocata da ristagni d'acqua prolungati e substrati poco drenanti

2 min

Il fenomeno dell’asfissia radicale in florovivaismo si origina da un eccesso di acqua nel terreno o nel substrato di coltivazione che, permanendo in prossimità dell’apparato radicale delle piante, ne compromette la corretta areazione. In questa situazione, le radici tenderanno a marcire, provocando il deperimento di tutta la pianta.

 

Coltivazioni a terra o in vaso: quando l’acqua ristagna

Quando l’acqua di irrigazione o delle precipitazioni si immobilizza in corrispondenza della parte superficiale del suolo, gli spazi vuoti del terreno vengono occupati quasi totalmente e privati dell’aria. Si parla di ristagno superficiale nel momento in cui l’intensità della pioggia è più elevata rispetto alla velocità di penetrazione dell’acqua nel terreno, con quest’ultimo che ha una pendenza lieve tale da non consentire lo smaltimento dell’eccesso di acqua.

I ristagni d’acqua nelle coltivazioni a terra si verificano soprattutto nei terreni a spiccata matrice argillosa (terreni pesanti/compatti), mentre, nelle coltivazioni in vaso, il fenomeno si evidenzia quando il substrato di coltivazione non è sufficientemente drenante, vale a dire quando nella composizione dello stesso non sono presenti sufficienti componenti che permettono o facilitano il drenaggio e la corretta percolazione dell’acqua (pomice, lapillo, fibra di cocco, fibra di legno, argilla espansa, torba ben strutturata).

 

Altri problemi legati all’asfissia radicale

Nel caso di terreno, l’asfissia radicale lo rende impraticabile, ma causa anche molte altre gravi conseguenze dal punto di vista agronomico, soprattutto se il ristagno di acqua è prolungato. Per esempio, amplifica le perdite di azoto e degli altri elementi nutritivi, ma aumenta anche la vulnerabilità delle piante nei confronti delle aggressioni da parte dei parassiti.

Tale fenomeno è anche alla base della disgregazione degli aggregati strutturali e della dispersione dei colloidi. Infine, i ristagni hanno un effetto depressivo per i processi ossidativi dello zolfo e dell’azoto, che sono elementi nutritivi preziosi per le piante.

Nel caso delle coltivazioni in vaso, l’eccessiva permanenza di acqua impedisce un corretto scambio gassoso, le radici ed i capillari radicali rimangono “soffocati”. Fisiologicamente, la pianta si blocca ed è a questo punto che si instaurano i temutissimi problemi derivanti dall’attacco di patogeni quali Phytium o Phytophtora, che spesso in brevissimo tempo portano alla moria delle coltivazioni.

 

Cosa fare per prevenire o rimediare i danni da asfissia radicale

Per risolvere il problema occorre, prima di tutto, rimuovere le cause che determinano il ristagno di acqua nel suolo/substrato, per poi ricorrere a soluzioni che rendano più rapido lo sgrondo dell’acqua di eccesso.

Nel caso di terreni occorre eseguire una sistemazione con l’uso di baulature, di drenaggi e di scoline agevolando il deflusso di acqua in superficie.

Nei substrati è sempre preferibile optare per quelli con buona presenza di inerti drenantitorbe con frazioni grossolane (10-30, 20-40), mancanza o presenza ridottissima di compost.

È sempre preferibile utilizzare substrati drenanti, anche se a volte questo comporta una gestione dell’irrigazione accurata e continua: ad un eccessivo drenaggio si può sempre porre rimedio (ad esempio bagnando il substrato con agenti bagnanti/umettanti come H2Gro). Con substrati poco drenanti, i rimedi sono estremamenti più complicati e laboriosi, a volte inutili.

 

I prodotti ICL più adatti per prevenire i danni da asfissia radicale

H2Gro è un esclusivo agente umettante prodotto da ICL messo a punto appositamente per utilizzi nei substrati di coltivazione delle colture ornamentali che migliora l’assorbimento idrico e la distribuzione dell’acqua nel substrato.

Approfondisci con gli argomenti correlati a questo articolo. Clicca la tab qui sotto.